MEMORIA NOTEBOOK 4GB DDR4 3200 MHZ KINGSTON - KVR32S22S6/4

KVR32S22S6/4


MEMORIA NOTEBOOK 4GB DDR4 3200 MHZ KINGSTON - KVR32S22S6/4 KVR32S22S6/4 - Memória de 4GB SODIMM DDR4 3200Mhz 1,2V 1Rx16 para notebook Descrição 4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-3200 CL22 260-Pin SODIMM Descrição: Este documento descreve a memória ValueRAMM KVR32S22S6/4 sendo uma SDRAM DDR4-3200 CL22 de 512M x 64 bits (4GB) (DRAM síncrona), 1Rx16, módulo de memória, baseado em quatro componentes FBGA de 512M x 16 bits. O SPD é programado para o tempo de latência DDR4-3200 padrão JEDEC de 22-22-22 a 1,2V. Cada DIMM de 260 pinos usa contatos dourados. As especificações elétricas e mecânicas são as seguintes: Características: • Fonte de alimentação: VDD = 1.2V típico • VDDQ = 1.2V típico • VPP = 2.5V típico • VDDSPD = 2.2V a 3.6V • Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara • Atualização automática de baixa potência (LPASR) • Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados • Geração e calibração VREFDQ na matriz • Classificação única • EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada • 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada • Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS) • BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF) • Topologia de passagem • Comando de controle terminado e barramento de endereço • PCB: Altura 1,18 ”(30,00 mm) • Compatível com RoHS e sem halogênio Especificações: CL (IDD) = 22 ciclos Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.) Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.) Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.) Classificação UL: 94V - 0 Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC