PN: KVR26N19S6/4 I
Descrição: MEMÓRIA 4GB 2666MHz DDR4 Non-ECC CL19 Desktop
KVR26N19S6/4 4GB 1Rx16 512M x 64-Bit PC4-2666 CL19 288-Pin DIMM Características: - Marca: Kingston - Modelo: KVR26N19S6/4 Especificações: - Frequência de operação: 2666Mhz - CL (IDD): 19 ciclos - Row Cycle Time (tRCmin): 45,75ns (min.) - Refresh to Active / Refresh Command Time (tRFCmin) 350ns (min.) - Row Active Time (tRASmin) – 32ns (min.) - Potência Máxima de Operação – TBD W* - Classificação UL 94 V - 0 - Temperatura de operação – 0oC a +85oC - Temperatura de armazenamento - -55oC a + 100oC *A potência pode variar dependendo do uso do SDRAM Características / Benefícios: - Tensão de operação: VDD = 1,2V Típico - VDDQ = 1,2 V Típico - VPP = 2.5V Típico - VDDSPD = 2,2 V a 3,6 V - Terminação nominal e dinâmica no DIE (ODT) para sinais de dados, luz e máscara - Auto-atualização de baixa potência (LPASR) - Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados - Geração e calibração VREFDQ no DIE - Single Rank - EEPROM de detecção de presença serial (SPD) on-board I2 - 8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada - Burst chop fixo (BC) de 4 e comprimento de Burst (BL) de 8 através do conjunto registradores de modo (MRS) - BC4 ou BL8 selecionáveis em tempo real (OTF) - Topologia fly-by - Comando de controle e barramento de endereços com terminação - PCB: Altura 1,18” (30,00 mm) - Em conformidade com RoHS e sem halogênios Conteúdo da embalagem: - Memória Kingston 4GB
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